Silicio karbidas (SiC).
Silicio karbidas (SiC) yra trečios -kartos plataus diapazono-puslaidininkinė medžiaga, pasižyminti dideliu suskaidymo elektriniu lauku, dideliu šilumos laidumu, dideliu elektronų prisotinimo dreifo greičiu ir puikiu cheminiu bei terminiu stabilumu. Jis plačiai naudojamas galios elektronikoje, radijo dažnių įrenginiuose, elektrinėse transporto priemonėse, 5G ryšiu, pramoniniuose maitinimo šaltiniuose, aviacijos ir kosmoso srityse ir kitose srityse. Dėl kietos ir trapios prigimties tikslus apdirbimas yra svarbus žingsnis gaminant didelio našumo įrenginius.
Įmonė Hemei turi gilią techninę patirtį tiksliai apdirbant kietas ir trapias medžiagas. Specialiai SiC medžiagoms sukūrėme efektyvų ir stabilų poliravimo ir planavimo procesą. Šis procesas įgalina visiškai valdomą apdirbimą nuo pagrindo paruošimo iki įrenginio{2}}lygaus paviršiaus apdailos, atitinkančio griežtus SiC paviršiaus kokybės reikalavimus, taikomus aukščiausios klasės programoms, pvz., galios moduliams ir mikrobangų RF įrenginiams.
Paraiškos reikalavimai
SiC medžiagų poliravimo ir paviršiaus apdorojimo tikslai yra šie:
Paviršiaus šiurkštumo (Ra) sumažinimas iki < 0,5 nm.
Pasiekiamas paviršiaus lygumas (TTV), mažesnis arba lygus 1 μm, o vietinis lygumas (LTV) yra didesnis už šią vertę.
Gaminami paviršiai be įbrėžimų, mikro{0}}įtrūkimų ir po-paviršiaus pažeidimų, kad atitiktų įrenginio-elektrinio veikimo reikalavimus.
Suderinamumas su įvairiais polistipais, tokiais kaip 4H-SiC ir 6H-SiC, palaiko plokštelių apdorojimą nuo 4 colių iki 8 colių skersmens.
Norint pasiekti šiuos tikslus, „Hemei“ procese naudojamos tinkintos klijavimo sistemos ir daugiapakopės poliravimo procedūros, užtikrinančios geometrinį tikslumą ir paviršiaus vientisumą apdorojimo metu.
Sistemos specifikacijos
Hemei modulinės poliravimo sistemos palaiko įvairių dydžių ir formų SiC plokštelių/kristalų apdorojimą. Pagrindinės sistemos apima:
HSM{0}}L/LP serijos glaistymo įranga: naudojama pradiniam medžiagos pašalinimui ir storio kontrolei.
HSM{0}}CMP serijos cheminio mechaninio poliravimo sistemos: naudojamos itin-lygiems, nepažeistiems{2} paviršiams pasiekti.
Pagrindiniai posistemiai:
Plokščių / kristalų{0}}specifinis klijavimo vienetas (WB).
SJ/ASJ serijos tikslaus poliravimo tvirtinimo detalės.
C-ASJ pavaros galvutės didelio greičio-poliravimo sistema.
Proceso srautas
Klijavimas ir montavimas: SiC mėginys laikinai pritvirtinamas prie nešiklio plokštės naudojant WB klijavimo įrenginį, o po to tvirtinamas ant poliravimo įtaiso.
Grubus ir vidutinis poliravimas: kontroliuojamas HSM{0}L įrangos šlifavimas, kad būtų pašalintas proceso{1}}paveiktas sluoksnis.
Smulkus poliravimas: Galutinis poliravimas atliekamas naudojant HSM{0}}CMP sistemą. Tokie parametrai, kaip slėgis, sukimosi greitis ir srutos srauto greitis, koreguojami realiuoju laiku, kad būtų pasiektas nano-lygio paviršiaus lygumas.
Tipiški rezultatai
Paviršiaus šiurkštumas Ra < 0,5 nm.
Bendras storio pokytis (TTV) mažesnis arba lygus 1 μm, vietinis storio pokytis (LTV) mažesnis arba lygus 0,3 μm.
Medžiagos pašalinimo greitis: 0.5 - 2 μm/min (reguliuojamas).
Tinka SiC plokštelėms, kurių skersmuo yra mažesnis arba lygus 8 coliams, palaiko įprastus politipus, pvz., 4H/6H-SiC.
Santrauka
„Hemei Company“ teikia išsamų ir patikimą silicio karbido medžiagų poliravimo ir planavimo sprendimą. Šis sprendimas nuosekliai užtikrina nano-lygio paviršiaus kokybę ir aukštą elektrinį našumą, taip palaikydamas industrializaciją ir SiC įrenginių našumo didinimą aukščiausios klasės{2}} srityse, tokiose kaip galios elektronika, RD ryšys ir naujos energijos transporto priemonės.
